Microscope électronique à balayage à émission de champ à faisceau d'ions focalisé DB550 Ga+

Principaux avantages technologiques

La supériorité du DB550 repose sur cinq innovations clés :

1. "Super Tunnel" Optique électronique: Caractéristiques de décélération du faisceau dans la colonne pour réduire les effets de charge spatiale, permettant une imagerie haute résolution à basse tension (20 V–30 kV) avec des aberrations minimales.

   
   

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3. Chemin sans croisement: Élimine les croisements de faisceaux pour améliorer la résolution et réduire les distorsions de l'objectif, ce qui est essentiel pour l'analyse des caractéristiques subnanométriques.

   
   

4. Objectif composé électromagnétique et électrostatique: Prend en charge l'imagerie à basse tension (1 kV) avec une résolution de 1,6 nm, tout en permettant l'observation d'échantillons magnétiques, ce qui est impossible avec les MEB conventionnels.

   
   

5. Lentille à température constante refroidie par eauAssure la stabilité et la répétabilité lors d'expériences à long terme, avec une commutation automatique de l'ouverture pour des transitions de mode rapides.

   
   

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7. Système à ouverture multi-trous variable: Utilise la déviation électromagnétique pour une commutation transparente entre les modes d'imagerie (par exemple, électron secondaire, électron rétrodiffusé) sans réglages mécaniques.

   
   

Composants clés et performances

Colonne à faisceau d'ions focalisé (FIB):-Résolution: 3 nm à 30 kV (faisceau d'ions Ga+), avec des courants de sonde de 1 pA à 65 nA pour un fraisage délicat ou l'enlèvement de matière en vrac.

• Stabilité: 72 heures de fonctionnement ininterrompu, intervalle d'échange de la source d'ions ≥1000 heures et plage de tension d'accélération de 0,5 kV à 30 kV.

  
  

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Nanomanipulateur:

• Système piézoélectrique à trois axes, monté sur chambre, avec une précision de mouvement ≤ 10 nm et une vitesse maximale de 2 mm/s. Idéal pour le positionnement précis d'échantillons et la manipulation in situ.

  
  

Système d'injection de gaz (GIS):

• Conception GIS unique avec plusieurs gaz précurseurs (par exemple, platine, tungstène pour le dépôt), distance ≥ 35 mm et répétabilité du mouvement ≤ 10 μm. Le contrôle du chauffage (température ambiante – 90 °C) avec une précision de ± 0,1 °C assure des réactions chimiques cohérentes.

  
  

Applications dans tous les secteurs d'activité

Semi-conducteur:

• Analyse des défaillances des puces CI par fraisage en coupe transversale, préparation d'échantillons pour MET (amincissement des lamelles) et modification des circuits. Essentielle pour le débogage des nœuds technologiques avancés (ex. : 7 nm/5 nm).

  
  

Nouvelle énergie:

• Caractérisation des matériaux des batteries lithium-ion : observation de la morphologie, analyse de la taille des particules et diagnostic des défaillances (par exemple, croissance de dendrites) à l’aide de BSE/EDX/SIMS.

  
  

Matériaux céramiques:

• L'usinage micro-nano de haute précision (par exemple, la gravure de tranchées) associé à l'imagerie 3D via BSE/EDX/EBSD/SIMS permet l'étude des joints de grains et des distributions de phases (échelle : 2–5 μm).

  
  

Matériaux en alliage:

• Analyse de phase renforcée (par exemple, composites à matrice métallique) à l'aide d'échantillons TEM préparés par FIB pour la diffraction de Kikuchi en transmission (TKD) et les essais mécaniques in situ.

  
  

Spécifications techniques

Optique électronique:

• PistoletCanon à électrons à émission de champ Schottky haute brillance.

  
  

• Résolution: 0,9 nm à 15 kV (contraste élevé), 1,6 nm à 1,0 kV (haute résolution).

  
  

• Tension d'accélération: 20V–30kV (variable).

  
  

Système à faisceau d'ions:

• Source: Source d'ions métalliques liquides Ga+.

  
  

• Résolution:nm@30kV; tension d'accélération 500V–30kV.

  
  

Chambre d'échantillons:

• VideSystème entièrement automatisé et sans huile.

  
  

• Scène: Platine eucentrique motorisée à 5 axes (X/Y=110 mm, Z=65 mm ; inclinaison -10°–+70°, rotation 360°).

  
  

• Caméras: 3x (1x navigation optique + 2x surveillance).

  
  

Détecteurs et options:

• Standard: Détecteur d'électrons intégré à la lentille, détecteur Everhart-Thornley (ETD).

  
  

• Facultatif: BSD, STEM, EDS, EBSD, nanomanipulateur, nettoyeur plasma, sas de chargement de 8 pouces.

  
  

Interface utilisateur:

• Système d'exploitation Windows avec navigation optique/gestuelle ; fonctions d'autoocus/stigmatisation.

  
  

Avantage concurrentiel

Comparé aux FIB-SEM conventionnels, le DB550 offre :

• Débit plus élevéLes flux de travail automatisés (chargement des échantillons, alignement) réduisent le temps de préparation de 40 %.

  
  

• Flexibilité accrue: La suite de détecteurs extensible prend en charge l'analyse multimodale (par exemple, EDS pour la cartographie élémentaire + EBSD pour la cristallographie).

  
  

• Fiabilité de niveau industriel: Lentille refroidie à l'eau et vide sans huile garantissent un fonctionnement 24h/24 et 7j/7 en salles blanches.

  
  

Mots clés SEO

1. DB550 Ga + SEM à faisceau d'ions focalisé

   
   

2. Station de travail FIB-SEM intégrée

   
   

3. Optique électronique à super tunnel

   
   

4. Nanofabrication SEM

   
   

5. Outil d'analyse des défaillances des semi-conducteurs

   
   

6. MEB haute résolution basse tension

   
   

7. Système d'injection de gaz GIS

   
   

8. Outil de précision nanomanipulateur

   
   

9. Caractérisation des matériaux par FIB-SEM

   
   

10. sas de chargement d'échantillons compatible de 8 pouces