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Microscope électronique à balayage à émission de champ à faisceau d'ions focalisé DB550 Ga+
Le DB550 intègre une colonne FIB (faisceau d'ions focalisés) Ga+ et un MEB à émission de champ, doté d'une optique électronique « Super Tunnel » (lentille amagnétique à faible aberration), d'une résolution ionique de 3 nm à 30 kV et d'une résolution MEB de 0,9 nm à 15 kV. Il comprend un nanomanipulateur (précision ≤ 10 nm), un système d'injection de gaz (GIS unique, contrôle de température ±0,1 °C) et un sas de chargement compatible 8 pouces. Idéal pour la nanofabrication, l'analyse des défaillances des semi-conducteurs et la caractérisation des matériaux grâce à des flux de travail automatisés et des détecteurs extensibles (EDS/EBSD/STEM).
Microscope électronique à balayage à émission de champ à faisceau d'ions focalisé DB550 Ga+ Station de travail FIB-SEM intégrée Optique électronique à super tunnelSend Email Détails -
Microscope électronique à balayage haute vitesse HEM6000
Pilote de numérisation haute vitesse Temps d'acquisition : 10 ns/pixel ; Vitesse d'acquisition maximale : 2 × 100 M pixels/s Système de filtration électronique Les signaux SE/BSE peuvent être commutés librement et le rapport de mélange des signaux est réglable. Système de déviation électrostatique haute vitesse Elle permet d'obtenir un mode grand champ haute résolution. Avec une taille de pixel de 4 nm, le champ de vision maximal atteint 32 μm × 32 μm. Technologie de décélération de l'étage d'échantillonnage Elle réduit la tension d'impact des électrons incidents et améliore simultanément l'efficacité de collecte des électrons recyclés. Objectif composé électromagnétique à immersion Le champ magnétique de la lentille d'objectif immerge l'échantillon, permettant d'obtenir une faible aberration et une haute résolution.
Microscope électronique à balayage haute vitesse HEM6000 MEB industriel pour l'inspection des semi-conducteurs MEB haute résolution basse tensionSend Email Détails
